想用单片机做个简易变频器，思路都搞好了，现在有个问题不知道6个IGBT导通时序，哪个高手解释1下。精彩回复：sbkkan:如果你的单片机是业余级的，还是用专用芯片来首先要弄清两个概念：IGBT的饱和压降，和IGBT的阻断电压。IGBT的饱和压降是指GE之间施加一个大于阈值的正电压(例如15V),使管子导通，处于饱和状态，流过一定电流，这时管子两端的压降称为饱和压…
在平面栅IGBT中，正向导通时，P阱与n-漂移区形成的PN结处于轻微的反向偏置状态，因而会形成有一定宽度的空间电荷区，它挤占了一定的空间，因此电流只能从一个相对较窄的空间流过，增大了IGBT导通时，主要工作在饱和区域。IGBT开通后，集电极电流Ic仍然会继续上彝，并产生一个开通电流峰值，这个峰值是由阻感性负载及续流二极管共同产生的，峰值电流过大可能会损耗IGB
下面依次对导通和关断情况进行具体分析，首先对导通情况进行说明。igbt导通控制装置包括第一阶段控制模块、第二阶段控制模块和igbt控制信号产生模块，第一阶段控制模块包括第一比较下面是开米尼茨大学的研究结果，他们列举了6种测试方法，其中恒功率法分为通过调节导通电流和调节门极电压两种方法，而恒定结温法分为通过调节导通电流、门极电压和导通时间三种方法。其中最严苛的恒
∪▂∪ 为了能够将输入的直流变成交流电，6个IGBT会从T1~T6(或VD1~VD6)依序循环的导通和关闭，并依次的间隔60°顺序导通（或关断），U/V/W三相的相位差为120°，这也就意味着和第一相（U相）上桥臂导通（IGBT6目前发布的有2个系列的产品，S6导通损耗低，Vce(sat) 1.85V; H6开关损耗低，相比于H3，开关损
↓。υ。↓ 为了能够将输入的直流变成交流电，需要6个IGBT依序循环的导通和关闭。6个IGBT在控制模块逻辑控制下依次间隔60°顺序导通，每一相间隔120°的循环输出就会产生三相交流电，连接永磁同步理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和
