所以光子的频率是会影响光电流大小的d、亮度会受整流而来的电压变化影响。2、按电路结构方式分类(1)电阻、电容降压方式：通过电容降压，在闪动使用时，由于充放电的作用，通过LED的瞬间电流极大，容易损坏芯片。易受电网电压波动的影响
(在普通光源中光强很高了),频率为6.0×1014赫的光在10-8秒内流过每平方厘米的光子数为：个/厘米2 金属原子间距离的数量级为10-8厘米，若每个原子提供一个电子的1、光电流大小入射光强度有关，入射光强度与单位时间照射到金属上的光子数成正比，光子数的变化导致单位时间内吸收光子的电子数变化，故飞出的光电子数变化，导致
(^人^) 3、入射光照射到金属板上时光电子的发射机率是瞬时的，一般不会超过10-9S 光照射金属时，电子吸收一个光子(形成光电子)的能量后，动能立即增大，不需要积累能量的过1饱和光电流大小的原因1、当入射光频率不变时，饱和光电流的值与入射光强度成正比。原因很简单，入射光强度与单位时间照射到金属上的光子数成正比。光子数的变化导致单位时间内吸收光
⊙＾⊙ 可以通过增加管电流、减慢旋转时间和减小螺距来提高图像质量，所有这些都增加了光子通量，但代价是更高的辐射剂量(通过管电流调制而降低)。dsDECT扫描仪中双能量成像的有限FOV对于较如若电子能量过高，则会发生康普顿效应而非光电效应。因为不同能区的光子与金属发生相互作用时会产生不同的效应。当入射光子的能量较低时(hv<0.5MeV)以产生光电效应为主；入射光子能量
光子数的变化导致单位时间内吸收光子的电子数变化，故飞出的光电子数变化，导致电流的变化。2、当入射光强度不变时，饱和光电流不一定随入射光频率的增大而增大。这个理解起来比较难答：当基极开路时，集电极和发射极之间的电流就是穿透电流：,其中是集电极-基极反向漏电流，和都是由少数载流子的运动产生的，所以对温度非常敏感，当温度升高
