半导体激光器的工作原理当P-N结外加正向偏压足够大时,将使得结区处于粒子数的反转分布状态,在外来光子的激发下,即出现受激辐射>受激吸收→产生光的放大被放大的光在由P-N结构成激光器打标原理激光打标是利用高能量密度的激光对工件进行局部照射,使表层材料汽化或发生颜色变化的化学反应,从而留下永久性标记的一种打标方法。激光打标可以打出各种文字、符号
⊙ω⊙ 氦氖激光器:1960年科学家ali javan、william r.brennet jr.和donald herriot 设计了氦氖激光器。这是第一台气体激光器,这种激光器是全息摄影师常用的装备。两激光器的基本结构由工作物质、泵浦源和光学谐振腔三部分构成。激光器的基本结构工作物质是激光器的核心,是激光器产生光的受激辐射放大作用源泉之所在。泵浦源为在工作物
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