BU508A参数如下：VCBO=1500V,VCEO =700 V ,VEBO = 10 V, IC =10 A ICM = 15 A 【产品特性】二次击穿耐量高和热阻低，安全工作区宽，饱和压降低，开关特性好，功率大，高反压，大三极管参数三极管参数2N系列型号结型外形参数2N2222NPNTO-92 MOS管参数代换大全D1264 200V,2A,30W 2SD1763B,2SC3298B,2SC4382,2SD1587 NPN D1391 1500V,5A,100W BU508
BU508A 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全制造商产品编号：BU508A 材料：Si 晶体管极性：NPN 功耗(Pd):大功率晶体管BU508A参数详情规格书超声波设备专用三极管SPTECH BU508A 1 SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU508A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Volta
型号：BU508A 类型：NPN三极管集电极耗散功率(PC):125 W 集电极电流(IC):8 A 集电极与基极最高耐压(VCBO):1500 V 集电极与发射极最高耐压(VCEO):700 V 发射极与基极最高耐压(VBU508A 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数额定电压(DC) 700 V 额定电流8.00 A 耗散功率125 W 击穿电压(集电极-发射极) 700 V 额定功率(Max)
＋▂＋ 产品型号：BU508A,生产商：SANYO,简要描述：NPN大功率三极管，由深圳市通络科技电子有限公司代理销售BU508A库存，采购BU508A现货供应商，替换BU508A代替品，免费查看BU508A.pdf,下载BU508A资料datasheet技术参数品牌：SANYO/三洋型号：BU508A 数量：12772 RoHS: 是产品种类：电子元器件最小工作温度：-50C 最大工作温度：80C 最小电源电压：1V 最大电源电压：7.5V 长度：7.1mm 宽
