这个数值可以通过R5和R6来调节。zui后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。pwm驱动在功率MOS管打开初期，内部的前沿消隐电路可以消除采样信号中的电压尖峰，所以在CS输入上不再需要外接RC滤波器，PWM占空周期由CS脚输入电压和EA输出电压决定。
pwm控制mos管调节电流
1)用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2)用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3)gate电压的峰值限制4)输入和输出的电流限制5)通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。6这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块，BUCK结构我们已经很理解了，这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动，并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管，实现稳压或者恒
pwm控制mos管调节电压电路图
D1二极管为高边电源续流二极管，通过与C2自举电容、负载端(TO LOAD)脉冲波形配合，完成VB高边电源的电压举升。注：半桥在工作时，Q1与Q2不能同时打开，若同时打开，会导致电源通过两个MOS如果斩波频率较高，输出有电容的话，输出电压平均值为5V；输出电流就由负载决定，最大输出电流就和MOS管参数和电源输出特性有关；一般来说，如果输出负载不变，有
mos管 pwm
怎么用一个PWM信号控制MOS管的电路操作方法：用BUCK拓扑电路，就能实现，我不能插入图片，我给你说一下就明白了。一个MOSFET，一个二极管，一个电感和一个电容，BPWM控制器驱动功率MOS管时要注意控制器能为FET Gate提供持续电流的能力。在控制器手册中会给出这个电流的大小。MOS的G级需要的电流可由公式计算：Igate=Qg*Fosc
