晶体中缺陷尺寸通常是在微米或亚微米数量级范围内，而微缺陷的概念是一个统称，是指尺寸较小的缺陷。微缺陷是无位错直拉和区熔硅单晶中常见的一类主要缺陷。常见的微缺陷经腐蚀后在显(3)结构缺陷和电子缺陷结构缺陷：晶体结构上的不完美，比如空位，位错，晶界；电子缺陷：一些结构缺陷(比如点缺陷)的产生相关的可以在晶格中相对自由移动的电子或空穴. 2.2 非点
2、常见的面缺陷的类型：■层错：是由于晶面堆积顺序发生错乱而引入的面缺陷，又称堆垛层错。■小角晶界：具有完整结构的晶体两部分彼此之间的取向有着小角度θ 的倾斜，在角θ 里的部分是由少④离子晶体中点缺陷要求保持局部电中性，常见的两种点缺陷：肖脱基缺陷：等量的正离子空位和负离子空位。弗兰克尔缺陷：等量的间隙原子、空位。离子晶体中的点
④离子晶体中点缺陷要求保持局部电中性，常见的两种点缺陷：肖脱基缺陷：等量的正离子空位和负离子空位。弗兰克尔缺陷：等量的间隙原子、空位。离子晶体中的点1、本质(征)缺陷(1)Kroger-Vink 符号e-电子缺陷h-空穴缺陷X-中性O,-缺陷中留下的正负电荷i-间隙原子或者间隙离子V-空位(2)schottly(肖腕基)缺陷：晶体中原子或离子离开原有
o(?""?o 1)点缺陷最常见的点缺陷有晶格空位、置换原子和间隙原子，如图1.2.3所示。由于点缺陷的出现使周围的原子出现“撑开”或“靠拢”的现象，这种现象称为晶格畸变。晶格畸变的存在，使金属肖特基缺陷：空位和填隙原子可以成对地产生(弗仑克尔缺陷),也可以在晶体内单独产生。若脱离格点的原子变成填隙原子，
