ˇ▽ˇ 日本住友电工(SEI)表示，已开发出2英寸半极性/非极性GaN衬底材料的批量生产技术，该类型材料用作绿光激光器的衬底以及白光LED衬底。对于白光LED以及蓝紫光或蓝光半导体激光二极管来近日，日本京瓷(Kyocera)开发了一种MicroLED制造新技术，通过硅衬底取代传统昂贵的蓝宝石衬底，将Micro LED成本降至一半以下。据悉，硅衬底GaN技术是目前Micro L
大多数LED芯片制作工艺都以蓝宝石作为衬底，作为衬底材料，蓝宝石有以下优点：生产技术成熟、器件质量好。在高温环境中具有优秀2015-04-25 19:47 [江苏无锡市] 江阴皓睿光电在日美垄断LED 芯片核心技术的格局下，2008 年，位于江西省南昌市高新开发区的晶能光电有限公司在氮化镓基半导体发光材料领域创造性地发展出第三条技术路线，成为唯一具有“
ˇωˇ 据了解，硅作为一种衬底材料，与蓝宝石和碳化硅相比，具有低成本、大尺寸、高质量、能导电等优点，被认为是业界梦寐以求的生长氮化镓蓝光LED的衬底材料。采用硅衬第三章，从生产的角度，分析全球主要地区LED衬底材料产量、产值(万元)、增长率、市场份额及未来发展趋势，主要包括美国、欧洲、日本、中国、东南亚及印度地区。
科锐（Cree）是全球SiC衬底龙头厂，市占率超过6成，目前国内有广运集团旗下盛新材料科技和稳晟材料投入据其介绍，他们设计了一种新的工艺：通过将器件样品整个浸入到一种温度115°C、压强170 KPa的水环境中，然后将AlGaN LED器件从衬底上分离出来。这种方法由日本
会上，邀请到了日本铃木工艺技术员平木和雄先生分享《针对小尺寸LED衬底的各向异性导电胶和夹环的简化工艺》研究报告。平木和雄先生在1990年代参与了倒装芯另外，SiC衬底吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下的紫外LED。由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能，不需要象Al2O3衬底上功率型氮化镓LED器件采用倒装焊技术解决散热
